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芯片突围战现已打响,存储芯片元年能否到来?

芯片突围战现已打响,存储芯片元年能否到来?

  2018年第一季度,三星继续超越英特尔成为全球半导体市场的老大。在过去的几年中,三星半导体业务表现异常出现,根据报告结果来看,2018年一季度三星的芯片销售额为186亿美元,超越排名第二的英特尔23%,后者的销售额为158亿美元。三星的增长率高达43%,而英特尔的增长率只有11%。另外台积电、SK海力士和美光分别位列三到五名。面对这样的成绩,我们中国半导体市场又是怎么样的呢?

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  自从美国制裁中兴时间之后,打造“中国芯”的呼声越来越高。在芯片市场,中国在芯片设计、制造能力和人才队伍方面还存在着差距,90%依赖进口,所以,没有自己的国产自主芯片,就意味着要永远受制于人。

  芯片现状,处于全方位落后

  中国目前受制约的主要是通用芯片和器件。所谓通用芯片包括,电脑服务器CPU、可编程器件FPGA、数字信号处理器DSP、存储等。而这些芯片的供应商以美系厂商为主,CPU:英特尔Intel,FPGA: Xilinx和Altera,DSP:德州仪器TI。这些也是我国亟需突破的高端芯片技术,我们没有核心技术,在产业就容易被遏制。

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  除此之外,存储芯片对制造工艺要求极高,同样也处于一个高度垄断的市场,主要由韩国的三星、海力士和美国的美光等占据。其中三星居垄断地位,2017年它的DRAM 占全球的45.8%及NAND占37%。

  而中国存储芯片发展,目前,已形成长江存储(3D NAND)、福建晋华(利基型DRAM)、合肥长鑫(移动式DRAM)三大阵营。虽然紫光集团旗下的长江存储正试图实现中国存储芯片的突破,但离真正的规模量产仍需时间。

  发展自主芯片刻不容缓

  为了摆脱长期以后对对海外芯片的依赖,未来10年中国将在芯片领域投入1500亿美元,以在芯片设计和制造领域占据领先地。但是,这个领域长期被美企业把持,在寡头垄断的行业格局下,对技术、人才的封锁,商业政策的限制,成为中国发展芯片产业道路上的重重关卡。更何况国外芯片巨头也在拼命追赶。三星、英特尔每年的研发费用就高达数百亿美元。

  目前,中国芯片行业落后,主要是因为中国在半导体领域,从原料加工到制造的科技实力都比较有限。即使如华为、小米都可以推出自研SoC,但是在更上游的比如CPU(中央处理器)依旧依赖英国ARM公司的解决方案,还没有能力独立推出全自主化的SoC。所以,发展半导体芯片产业是中国科技真正崛起的必经之路。

  但是,想要大力发展半导体及其相关业务,我们必须凭借市场、资本和人才即企业家精神的三大因素共同发力。因此,解决芯片被掣肘的现状,不是一家企业的任务、也绝不是一家企业之力能完成的,破局需要国家的人才支持和战略部署,才有可能把芯片产业发展起来。

  存储芯片元年能否到来?

  在发展国产自主芯片上,国内相关企业动作频频,尤其是在存储芯片上,积极加大投资或释放产能,以期填补供应链缺口,进一步扩大市场份额。

  近日,有媒体报道,长江存储从全球最大的芯片机器制造商、荷兰的阿斯麦(AMSL),订购了一台最新型的使用EUV(极紫外线)技术的芯片制造机器光刻机,这一设备预计将于2019年年初交付。

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  资料显示,光刻机是生产大规模集成电路的核心设备,制造和维护需要高度的光学和电子工业基础,因此,高端光刻机号称是世界上最精密的仪器,分辨率通常在十几纳米至几微米之间,对芯片工艺有着决定性的影响。

  目前,中国晶圆厂所需高端光刻机完全依赖进口,而长江存储购买的荷兰ASML光刻机是波长为193nm的深紫外光,采用沉浸式设计,可生产20-14nm工艺的3D NAND闪存晶圆。分析人士认为,如果此次采购能够成功,将有助于推动中国自主研发半导体生产。随着光刻机的到位,2018年四季度,中国首批拥有完全自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片有望实现量产。

  虽然现状我们存储芯片的技术落后三星、台积电两到三代,现在还在28nm和14nm上挣扎,但是从种种举措上来看,中国必然要加大资金投入和政策引导,在国内打造相对完整的生态链,彰显了其努力追赶的决心。

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  未来几年,从芯片市场的发展来看,随着高端光刻机的到位,国产自研芯片讲不断突破,在突破高性能芯片的门槛之后,相信以中国人的聪明才智,中国芯片技术追赶上世界先进水平只是时间问题。

 


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